申博官网科技近日推出了杰冠微自产1200V 120mΩ SiC MOSFET产品
，蕴含TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三种封装。在钻营极致能效与系统紧凑化的电力电子设计中
，美满平衡了导通损耗与开关机能
，专为代替传统硅基超结MOSFET而生。

凭借SiC资料的物理个性
，该器件占有极低的寄生电容和极快的开关速度。其体二极管具备极低的反向复原电荷（Qrr）
，能显著降低开关损耗
，使电源系统轻松实现高频化设计
，大幅提升功率密度。
支持高达 175°C 的结温工作环境。相比一致规格的硅器件
，它能大幅削减散热器体积
，甚至在部门低功率密度设计中实现无电扇散热
，降低了系统整体成本。